テーマ：新しい単結晶材料の開発に向けた試み
- 日時： 2025年10月3日（金）
- 場所： 物質・材料研究機構 並木地区 共同研究棟 大ゼミナール室（4F）及びオンライン開催
- 主催・共催： 日本電子材料技術協会・クリスタルビジネス研究会、日本結晶成長学会・バルク成長分科会、物質・材料研究機構
- プログラム： PDF （開催案内 115KB）
| プログラム | |
| 13:30-14:10 | 「高出力CWレーザーに向けた単結晶素子の開発」 （株）信光社 川嶋一裕 |
| 14:10-14:50 | 「大口径ヘテロエピタキシャルダイヤモンドとデバイスへの応用」 Orbray（株） 金聖祐 |
| 14:50-15:30 | 「SiC単結晶昇華法における成長メカニズムの新たな理解と結晶性向上のための考え方」 信越化学工業（株）美濃輪武久 |
| 15:50-16:30 | 「リラクサ系圧電単結晶の開発における最近の進歩」 テイカ（株） 西村輔 |
| 16:30-17:10 | 「SiC, AlNの溶液成長の冶金学的アプローチ」 大阪大学 吉川健 |
| 17:10- | 意見交換会 共同研究棟409・410室（無料） |
- 参加費
| 会員種別 | |||
| 会員(主催・共催団体) | 非会員 | 学生会員(主催・共催団体) | 学生非会員 |
| 4,000円 | 7,000円 | 1,000円 | 2,000円 |
- 申込・問い合わせ先：日本電子材料技術協会 事務局 [E-mail] jems@jems1962.org 担当：島村清史（物材機構）
下記記載の上、メールでお申し込みください。
件名： 第119回研究会 一般聴講申込
１）氏名 ２）所属（勤務先） ３）メールアドレス ４）会員種別 ５）意見交換会の参加有無
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